1064nm APD-moduler

Modell: GD6212Y/GD6213Y/GD6219Y

Kort beskrivning:

Det är en förbättrad Si lavinfotodiodmodul med förförstärkningskrets som gör att svagströmssignalen kan förstärkas och omvandlas till spänningssignal för att uppnå omvandlingsprocessen för foton-fotoelektrisk signalförstärkning.

få offert Ladda ner

Teknisk parameter

Produkttaggar

Funktioner

Belyst platt chip på framsidan
Höghastighetssvar
Hög APD-förstärkning

Ansökningar

Laseravstånd
Laserkommunikation
Laservarning

Fotoelektrisk parameter（@Ta=22±3℃）

Artikel #	Paketkategori	Diameter på ljuskänslig yta (mm)	Spektralt svarsområde (nm)	Genombrottsspänning (V)	Responsivitet M=100 λ=1064nm (kV/W)	Stigande tid （ns）	Bandbredd (MHz)	Temperatur koefficient Ta=-40℃～85℃ （V/℃）	Buller ekvivalent effekt (pW/√Hz)	Koncentricitet (μm)	Bytt typ i andra länder
GD6212Y	TILL-8	0,8	40–1100	350–500	150	8.8	40	2.2	0,15	≤50	C30950
GD6213Y		0,8			200	2	175	2.2	0,15		C30659-1060-R8BH
GD6219Y		3			280	7	50	2.4	0,27		C30659-1060-3A